FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ مەھسۇلات چۈشەندۈرۈشى
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD / SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridad del transistor: | P-Channel |
| Número de canales: | 1 Channel |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V. |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 A. |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mOhms |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V. |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V. |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C. |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C. |
| Dp - Disipación de potencia: | 500 mW |
| Modo قانىلى: | كۈچەيتىش |
| Nombre comercial: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Reel |
| Empaquetado: | كېسىش لېنتىسى |
| Empaquetado: | MouseReel |
| ماركا: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | بويتاق |
| Tiempo de caída: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - مىن. | 5 S. |
| Altura: | 1.12 mm |
| Longitud: | 2.9 mm |
| Producto: | MOSFET كىچىك سىگنال |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13 ns |
| Serie: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 P-Channel |
| Tipo: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6 ns |
| Ancho: | 1.4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Peso de la unidad: | 0.001058 oz |
P يەككە P- قانال ، PowerTrenchÒ MOSFET
بۇ P- قانال لوگىكا سەۋىيىسى MOSFET ON يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىلغار Power Trench جەرياندىن پايدىلىنىپ ئىشلەپچىقىرىلىدۇ ، بۇ ئالاھىدە ئىشتاتنىڭ قارشىلىق كۈچىنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرۈش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن ، ئەمما يۇقىرى ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارى ئۈچۈن تۆۋەن دەرۋازا ھەققىنى ساقلاپ قالغان.
بۇ ئۈسكۈنىلەر تۆۋەن توك بېسىمى ۋە باتارېيە ئارقىلىق ھەرىكەتلىنىدىغان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ ، بۇ يەردە تۆۋەن توك مەنبەسىنى يوقىتىش ۋە تېز ئالماشتۇرۇش كېرەك.
· –2 A, –30 V. RDS (ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS (ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V
· تۆۋەن دەرۋازا ھەققى (6.2 nC تىپىك) · ئىنتايىن تۆۋەن RDS (ON) نىڭ يۇقىرى ئىقتىدارلىق ئۆستەڭ تېخنىكىسى.
· سانائەتنىڭ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك نۇسخىسى ئۆلچەملىك SOT-23 بولىقى.SOT-23 غا ئوخشاش توك چىقىرىش ئىقتىدارى% 30 يۇقىرى.
· بۇ ئۈسكۈنىلەر Pb ھەقسىز بولۇپ ، RoHS ماس كېلىدۇ
